兆易创新:19Q4略低预期,20年开启上升周期

时间:2020-01-21作者:潘暕,陈俊杰来源:天风证券
事件:公司发布2019年年度业绩预增公告,预计2019年度实现净利润约为6.00亿元到6.50亿元,与上年同期相比增加1.95亿元到2.45亿元,同比增加48.15%到60.49%。
点评:公司预计2019年净利润约为6.00亿元到6.50亿元,略低于此前我们预计的6.55亿净利润预期,判断为奖金计提等费用因素造成。我们认为,当前半导体设计“国产替代”趋势不变,兆易创新持续受益。随着5G、物联网的普及以及汽车电子的快速发展,公司MCU、NORFLASH等产品需求旺盛,预计NORFLASH价格将会持续上升。政策扶持下的“国产替代”+下游应用扩张,我们长期看好。
物联网的兴起与汽车电子的发展长期驱动MCU成长。MCU作为物联网设备的必备元器件,可以满足物联网设备低功耗、长时间使用、无线通信的需求。根据Gartner预计,2020年全球物联网设备将有240亿台,假定一颗32位MCU价格为0.5美元,单机使用量为1颗MCU,市场空间将达到120亿美元。32位MCU在汽车上的主要应用包括仪表板控制、车身控制、多媒体信息系统、引擎控制,以及新兴的智能性和实时性的安全系统及动力系统,如预碰撞、自适应巡航控制、驾驶辅助系统,以及电子稳定程序等安全功能等。公司深耕32位MCU,充分受益于下游应用领域拓展。
预计2020年存储芯片进入行业增长大周期,价格构筑上涨趋势。存储芯片DRAM与NAND三季度总产值均提升,分别为154亿美元、119亿美元,环比增速分别为4.1%、10.2%。随着三大龙头库存消化与需求端拉动力增强,DRAM价格下跌趋势收紧,供需情况有望持续改善,明年将回归正常水平。根据Dramexchange的预测显示,2020年DRAM的价格均有所上涨。第三季度NAND现货价格跌幅持续收紧,预计明年价格将有所上升。兆易创新作为国内Nor/Nand/Dram三线并进的存储代表,深度受益于行业上升周期带来的业绩增长。
国产存储器替代需求强烈,联手合肥产投,填补国产DRAM存储器空白。公司“DRAM内存研发及产业化”项目正在建设中,2020年将进行芯片设计与系统验证,2021年通过客户验证后进行量产,2022-2025年,进行新系列芯片研发及量产。公司已组建由数十名资深工程师组成的核心研发团队,涵盖前端设计、后端产品测试与验证,该团队的核心技术带头人员从事DRAM芯片行业平均超过二十年,具备较强的技术及研发实力。我们看好DRAM存储器业务后续发展,国内市场空间巨大。
投资建议:我们预计2020年新一轮存储周期开启叠加IOT/Airpods等需求推升,NAND/DRAM等新品加持,公司产能也有望解决瓶颈,各方面因素向好,将公司2019-2021年盈利预测从6.55/9.58/13.41亿元调整为6.45/12.00/18.01亿元,对应2019-2021年EPS分别为2.01/3.74/5.61元,维持买入评级。
风险提示:下游需求不及预期风险,市场竞争加剧风险,研发进度不及预期风险。
研报相关
财经日历
更多
财经图解
更多

春节持股or持币?一图帮你理清思路

张煜可 谢勤 周忆垚 1天前
微信公众号 关注微博
首页 财经