兆易创新业绩预告点评,存储芯片受益TWS+5G产品等新应用

时间:2020-01-21作者:王芳,胡独巍来源:
一、事件概述
事件:1月20日,公司发布19年度业绩预告:预计归母净利润约为6亿元至6.5亿元,同比增长48%至60%;扣非后归母净利润约为5.28亿元至5.78亿元,同比增长46%至60%,非经常性损益影响金额约0.28亿元。
二、分析与判断
业绩基本符合预期,受益芯片国产替代
业绩整体基本符合我们之前的判断。据业绩预告,Q4归母净利润为1.5亿元至2亿元,以Q4业绩区间中值1.75亿元测算,同比+365%,环比-33%。业绩增长主要原因:半导体国产替代加速,持续导入新客户、新订单;产品结构优化,盈利能力提升;存储器景气度回暖,供不应求。?NORFLash景气度上升,受益OLED、TWS以及5G产品等渗透率提升
NORFlash需求增长驱动行业供不应求,特别是TWS耳机、AMOLED屏幕等渗透率提升以及消费电子、物联网兴起。公司NORFlash切入国际大客户TWS供应体系,单机价值量大且受益TWS渗透率提升,并且拓展了车载电子、安防、物联网等领域多个客户。NORFlash目前产能仍较为紧张,随着5G换机、TWS以及5G产品等渗透率提升,NORFlash高景气度仍有望维持,公司将持续受益。NandFlash在38nmSLC产品上已实现量产,中小容量NandFlash和eMMC产品持续推出。
DRAM进展顺利,受益存储芯片行业拐点
公司拟定增不超过43.24亿元,投向DRAM芯片研发及产业化项目,重点研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术,计划开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。合肥长鑫第一代8GbDDR4DRAM于19Q3提前投产,产品通过国内外大客户验证。DRAM价格在19Q3触底回升,景气度有望持续提升。公司已实现存储芯片全产品线布局,定增将研发先进制程DRAM,将有望受益存储芯片行业拐点。
MCU产品结构持续优化,受益国产替代加速
公司持续推出系列基于ARM架构的高性价比MCU产品,受益车载电子、物联网以及工控等领域需求增长,MCU产品在19Q3同比环比增长明显。思立微在品牌手机客户实现量产出货,已推出屏下指纹方案,有望受益屏下指纹渗透率提升。此外,公司在19年8月发布了RSIC-V产品,未来有望打造新增长点。
三、投资建议
公司是全球领先的存储器芯片及MCU供应商,受益半导体自主可控趋势,同时是国家存储芯片战略平台之一。由于NORFlash供不应求、公司切入国际大客户、芯片国产替代加速,考虑收购上海思立微的影响,预计19/20/21年EPS分别为2.02/2.94/3.79元,对应PE分别为136X/94X/73X。参考SW半导体行业PE估值为246倍,维持“推荐”评级。
四、风险提示:
1、晶圆等原材料价格波动;2、存储芯片降价;3、DRAM产能爬坡不及预期。
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张煜可 谢勤 周忆垚 1天前
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